Шелибак Ибрагим

  • Должность: аспирант
  • Организация: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
  • Факультет: ФРЭ
  • Кафедра: Микро-и наноэлектроники

Пользователь принимает участие в следующих секциях:

  • Информационные технологии и программные средства: проектирование, разработка, тестирование, применение

Статьи пользователя:

  • Название статьи:

    Особенности конструкционно-технологической оптимизации статических и динамических характеристик биполярного транзистора с изолированным затвором

    Секция:

    Информационные технологии и программные средства: проектирование, разработка, тестирование, применение

    Краткое описание:

    Силовые полупроводниковые приборы являются важными компонентами электронных систем, характеризующихся специфической функциональностью для энергетических приложений, а также размером и стоимостью. Среди перспективных силовых приборов важное место занимает биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT). Представлены результаты оптимизационных исследований влияния технологических параметров формирования структуры IGBT прибора на его статические и динамические характеристики. Показано, что величина порогового напряжения IGBT в значительной степени определяется дозой имплантации примеси в область канала МОП-транзистора и концентрацией примеси в эмиттере. В менее значительной степени на пороговое напряжение IGBT оказывает влияние толщина подзатворного диэлектрика. На быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей степени динамические характеристики IGBT структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора. Представленные результаты получены с использованием программного комплекса компании Silvaco, предназначенного для приборно-технологического моделирования и проектирования систем микроэлектроники.

    Содержание работы |